Thanh điều khiển ngập sâu vào trong lò để hấp thụ số nơtron thừa và đảm bảo số nơtron giải phóng sau mỗi phân hạch là:
A. 1 notron.
B. nhiều hơn 1 notron.
A
Phương pháp giải:
- Phản ứng phân hạch dây chuyền:
+ Giả sử sau một lần phân hạch có k notron được giải phóng đến kích thích các hạt nhân khác tạo nên những phân hạch mới. Sau n lần phân hạch liên tiếp, số notron giải phóng là knkn và kích thích knkn phân hạch mới.
+ Khi k < 1 phản ứng phân hạch dây chuyền tắt nhanh.
+ Khi k = 1 phản ứng phân hạch dây chuyền tự duy trì và công suất phát ra không đổi theo thời gian.
+ Khi k > 1 phản ứng phân hạch dây chuyền tự duy trì, công suất phát ra tăng nhanh và có thể gây nên bùng nổ.
- Phản ứng phân hạch có điều khiển.
+ Phản ứng phân hạch này được thực hiện trong các lò phản ứng hạt nhân, tương ứng với trường hợp k = 1.
Giải chi tiết:
Thanh điều khiển ngập sâu vào trong lò để hấp thụ số nơtron thừa và đảm bảo số nơtron giải phóng sau mỗi phân hạch là 1 notron.
Chọn A.
Câu hỏi trên thuộc đề trắc nghiệm dưới đây !
Copyright © 2021 HOCTAP247